一、反激式开关电源工作原理
1.1 反激式开关电源定义
返驰式（Fly Back）转换器又称单端反激式，或称"Buck-Boost"转换器，因其输出端是在原边MOS管关断时获取能量，故而得名。
工作原理：
a. 因变压器原、副边相位相反，原边MOS开通时，次级二极管D反向截止，Vin直接作用于原边电感，储存能量。
b. 原边MOS管关断时，次级二极管D导通，储存在原边电感中的能量耦合到次级，给负载供电的同时给电容充电。
1.2 工作电流模式：
BCM模式：若在每个开关周期开始或结束时，反激变压器原边励磁电感所储存的能量刚好释放到0（对应的其内部的最小磁通也刚好为0），那么此时电源工作在BCM模式下。
CCM模式：若在每个开关周期开始或结束时，反激变压器原边励磁电感中最小磁通不为0，那么电源工作在CCM模式下,此时反激变压器励磁电感还有残余能量储存；
从电流波形上来看，励磁电感中持续有电流流过，即反激变压器励磁电感中磁通持续存在，采用CCM模式可以有效降低开关管的电流应力，但需要较大的电感量。
DCM模式：若在每个开关周期开始或结束时，反激变压器原边励磁电感中最小磁通已经为0，那么电源工作在DCM模式下,此时反激变压器励磁电感储存的能量完全释放掉；
▲ DCM模式电压电流波形
从电流波形上来看，励磁电感中有一定时间内无电流流过，即反激变压器励磁电感中磁通在一定时间内消失，只有反激变压器原边漏感中存在磁通，励磁电感失去箝位作用，励磁电感感量与开关管D-S极间电容会产生LC振荡，振荡频率由励磁电感感量与开关MOS管D-S极电容共同决定。
1.3 电流环路分析
①：原边MOS管开通环路
②：原边MOS管RC吸收电流环路
③：原边MOS管驱动电流环路
④：副边整流二极管电流环路
⑤：原边RCD吸收电流环路
⑥：原边RCD吸收 二极管反向恢复电流环路
⑦：原边辅助绕组整流电流环路
⑧：副边整流二极管反向恢复环路
▲ 实际应用电路电流环路分析
原副边高频电流耦合环路：
从理论上讲反激变压器可以隔离初次级之间的耦合，实际上由于绕组之间的寄生电容的存在，以及原副边寄生电容的存在，初次级之间存在容性耦合。由于变压器漏感的存在，初次级线圈之间也存在互感，即感性耦合，初次级之间的高频耦合如红色虚线部分所示。
初次级Y电容：为原副边耦合的高频噪声电流提供最短的回流路径，同时也产生高频噪声电流环路。
1.4 寄生电流环路分析
原边MOS管寄生电流环路：开关MOS管的散热片悬空时，开关MOS管与其散热片之间的分布电容，散热片与参考地（PE地）之间的分布电容，串联起来构成高频电流环路。
传导测试时，高频电流在机台接PE地线时流过LISN，被检测到。同时，高频电流路径也为高频噪声辐射提供了耦合路径。
MOS管D极对大地或者对次级地之间分布电容为高频噪声提供耦合路径，理论说降低D极布线长度或者减小D极散热面积，可以降低此高频电流。
1.5 开关噪声
开关MOS管开关过程中产生的开关噪声、高次谐波噪声是电源端传导测试超标频点的主要源头，设计时应采取措施加以管控。
1.6 寄生振荡干扰源（一）
原边漏感振荡：反激MOS管关断，副边整流二极管导通时，原边的励磁电感被箝位，原边漏感LEP的能量通过MOS管寄生电容CDS进行放电，主放电回路为LEP -CDS -RS-大电解-LEP，此时产生振荡的频率为：
原边励磁电感振荡：反激式MOS管关断，副边二极管由通转向关断，原边励磁电感被释放，CDS和原边电感的杂散电容为并联状态，再和原边电感LP(励磁电感+漏感之和）发生振荡，放电回路同样为LEP -CDS -RS-大电解-LEP，振荡频率为：
寄生振荡干扰源（二）
整流二极管导通、关断时，具有很宽的频谱含量，开关频率及其谐波本身就是较强的干扰源。原边反激MOS管导通，次级整流二极管关断时，副边励磁电感被钳制，副边漏感 LEs和二极管杂散电容CJ发生振荡，其振荡频率为:
反激式MOS 管关断，副边二极管由通转向关断，原边励磁电感被释放，CDs和原边电感的杂散电容为并联状态，再和原边电感LP(励磁电感+漏感之和)产生的振荡噪声，通过变压器耦合到次级，形成共模电流环路。
寄生振荡干扰源（三）
开关电源工作频率的高次谐波是产生辐射的根源，是万恶之源。
高频寄生振荡才是辐射噪声产生的根源。
寄生振荡干扰源（四）
反激电路主要高频寄生振荡
①. 初次级跨接Y电容与寄生电感
②. 原边MOS管寄生电容与寄生电感
③. 原边MOS管寄生电容与变压器原边漏感
④. 次级整流二极管与次级漏感
⑤. RCD吸收二极管寄生电容与寄生电感
⑥. 辅助绕组整流二极管寄生电容与寄生电感
⑦. MOS管RC吸收电容与寄生电感
⑧. MOS管散热片分布电容与寄生电感
⑨. L、N线Y电容与寄生电感
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